硒化锡

编辑:互学吧互动百科 时间:2019-12-08 06:29:24
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物质为灰色正交晶系晶体,具半导体性。密度为6.18(g/mL,25/4℃),熔点为861摄氏度,且不溶于水,但溶于硝酸王水中。该物质对水中有机物有剧毒和危害。在常规的制法中,加热温度要高于化合物的熔点,达到900~950℃,才能制得高纯SnSe。
中文名
硒化锡
英文名
tin selenide
化学式
SnSe
分子量
197.67
CAS登录号
1315-06-6
EINECS登录号
215-257-61
熔    点
816摄氏度
水溶性
不溶
密    度
6.18(g/mL,25/4℃)
外    观
灰色晶体
应    用
作半导体材料
安全性描述
S3/7/9 
危险性符号
危险性描述
R53
危险品运输编号
 UN 3288 6.1/PG 3

目录

中文名称:硒化锡
英文别名:Stannous selenide; Tin selenide; Tin selenide (SnSe); selenoxostannane; selenoxo-lambda~2~-stannane
EINECS号:215-257-6
分子量:197.67
钢灰色晶体物质,菱形晶结构。密度6.18g/cm3。熔点861℃。真空中于650~700℃挥发,可溶于碱金属硫化物硒化物中,易溶于硝酸王水中。
直接反应或锡盐和硒化氢作用制取。

硒化锡研究进展

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中科院大连化学物理研究所洁净能源国家实验室太阳能研究部、催化基础国家重点实验室分子催化与原位表征研究组(503组)李灿院士、张文华研究员领导的小组在太阳能电池新材料硒化锡(SnSe)的合成研究中取得进展。
硒化锡是一种重要的IV-VI族半导体,其体相材料的间接带隙为0.90 eV,直接带隙为1.30 eV,可以吸收太阳光谱的绝大部分;作为一种含量丰富、环境友好且化学稳定的半导体材料,硒化锡是新型太阳能电池潜在候选材料之一,因此其纳米材料的合成受到人们的关注。本工作利用溶液化学的优势,采用晶种诱导的方法首次生长了直径约20nm的SnSe单晶纳米线,长度从数百纳米到数十微米可调。光谱表征表明,硒化锡单晶纳米线显示明显的量子限域效应:其间接和直接带隙分别达到1.12 eV和1.55 eV, 分别与太阳能电池材料Si和CdTe的帯隙非常接近,显示出该材料在发展新型太阳能电池方面的潜力。
同时,研究小组还与中科院长春光机所的刘星元研究员合作,组装了基于P3HT和SnSe纳米线的杂化太阳能电池,初步考察了硒化锡单晶纳米线的光电性能。
目前,该制备方法已经申报国家发明专利,该项研究成果以通讯的形式在线发表在《德国应用化学》上。[1] 
参考资料
词条标签:
科学 理学 学科 化工产品 化学